100W MOSFET (IRFP250N) Amfi Devre Yapısı
Bu devre genellikle bir giriş aşaması (fark yükseltici), bir voltaj amplifikatörü (VAS) ve çıkışta IRFP250N'lerin bulunduğu güç katından oluşur.Malzeme Listesi (Bileşenler)
- Güç Transistörleri: 2 adet IRFP250N (Eşleşmiş olmaları önerilir).
- Sürücü Transistörler: MJE340 ve MJE350 (Yüksek voltaj kapasiteli).
- Giriş Transistörleri: BC556 veya 2N5401 (Düşük gürültülü PNP çifti).
- Dirençler:
- 0.22Ω veya 0.33Ω (5W) taş dirençler (Kaynak/Source uçları için).
- 10kΩ, 47kΩ, 1kΩ (Çeşitli değerlerde 1/4W dirençler).
- Kondansatörler: 10uF (Giriş), 100uF ve 1000uF (Filtreleme için en az 63V olmalı).
- Ayarlı Direnç (Trimpot): 1kΩ (Sükunet akımı - Bias ayarı için).
PCB Tasarımı ve Baskı İçin İpuçları
Hemen baskıya alacağınız bir PCB tasarımında şu noktalara dikkat etmelisiniz:- Yüksek Akım Yolları: MOSFET'lerin "Drain" ve "Source" uçlarına giden yolları (trace) mümkün olduğunca geniş tutun. 50V altında yüksek akım geçeceği için ince yollar ısınabilir ve yanabilir.
- Yıldız Şase (Star Ground): Dip gürültüsünü (hiss/hum) önlemek için tüm şase bağlantılarını tek bir merkez noktada toplayın.
- Soğutma: IRFP250N'ler çalışma sırasında ısınacaktır. PCB üzerinde bu parçaları soğutucuya kolayca vidalanacak şekilde kenarlara yerleştirin. Aralarına mutlaka mika izolatör ve termal macun sürün.
Teknik Veriler (50V DC Besleme ile)
- Çıkış Gücü: 8Ω hoparlörde yaklaşık 100W RMS.
- Besleme Gerilimi: Maksimum ±50V veya Tek Kaynak 50V (Devre tipine göre değişir).
- Sükunet Akımı (Bias): Isınmayı kontrol altında tutmak için genellikle 50mA ile 100mA arasına ayarlanır.
Eklentiler
Son düzenleme:
