1. Bu site çerez kullanmaktadır. Siteyi kullanmaya devam etmeniz halinde çerez kullanımı ile ilgili site koşullarını kabul etmiş sayılırsınız. Daha Fazlasını Öğren.
  2. Forum İllegal Uyarısı Forum kuralları gereği forumda video ve illagal paylaşım yapmak yasaktır.Program Arşivimizde ise kısıtlanmış sürüm yada dağıtımı serbest olan (trial - freeware) yazılımlar yayınlayınız..Aksi takdirde mesajlarınız silinecektir..

Temel Elektronik

Konusu 'Genel Elektronik' forumundadır ve guclusat tarafından 30 Nisan 2016 başlatılmıştır.

Etiketler:
  1. guclusat
    Offline

    guclusat Tanınmış Üye Süper Moderatör

    Katılım:
    14 Haziran 2009
    Mesajlar:
    9.754
    Ödül Puanları:
    48
    Transistör sözcüğü tek başına kullanıldığı zaman; üç bacaklı,
    bacaklarına emitör, kollektör ve beyz denilen elemandır
    dersek pek doğru söylemiş sayılmayız....
    Biraz doğru söylemiş oluruz.
    Evet, transistör bir devre elemanıdır.
    Bazı durumlarda 2, 3 yada 4 bacaklı olabilir.
    Bacakları farklı isimler alabilir.
    Kesin olan bir şey ise transistörün yapısına göre akım yada
    gerilim kazancı sağlayan, başka bir değişle YÜKSELTME işi
    yapan bir devre elemanıdır.
    Transistörler aynı zamanda katı-hal "solid-state" devre
    elemanlarıdır.
    Transistör yapımlarında silisyum, germanyum yada uygun
    karışımlar kullanılmaktadır.
    Transitör bir grubun genel adıdır.
    Bu grup içinde BJT, FET, MOSFET.....vardır.

    İlk olarak BJT (Bipolar Junction Transistor) konusunu
    anlatacağım. Neden Bipolar "çift kutuplu" denmektedir?
    Çünkü BJT içinde hem çoğunluk taşıyıcılar hem de azınlık
    taşıyıcıları görev yaptığı için. Neden junction "yüzey birleşimli".
    Buradaki "yüzeyi" ben koydum. Sebebi ise transistör ilk icat
    edildiğinde yarı iletken maddeler bir nokta olarak birbirlerine
    değermiş. Bu nedenle onlara "Nokta Değmeli Transistör"
    denirmiş. Artık transistörler bir tost görüntüsünde olup yarı
    iletkenler birbirlerine yüzey olarak yapışık şekilde üretilmektedir.

    İki tip BJT transistör vardır. Birisi NPN, diğeri PNP transistör.
    Bunları şekilleri ve sembolleri aşağıda görülmektedir.

    Sekil1_jpe.jpg

    Birinci şekilde de görüldüğü gibi NPN transistör, N, P ve N
    tipi yarı iletkenlerden oluşmuştur. Daha kalın olan N maddesi
    kollektör ( Collector ), kollektöre göre daha ince olan N
    maddesi emitör ( Emitter ) ve çok ince olan " yaklaşık
    0,002mm" P maddesi ise beyz (Base) olarak adlandırılır.
    PNP transistör ise daha kalın olan P maddesi kollektör
    ( Collector ), kollektöre göre daha ince olan P maddesi emitör
    ( Emitter ) ve çok ince olan " yaklaşık 0,002mm" N maddesi
    ise beyz (Base) den oluşur.

    Buradaki C,B ve E harflerinin anlamları ise
    C TOPLAYICI,
    B TABAN ve
    E YAYICI dır.



    Transistör İçindeki Hareketler.

    BJT transistörün çalışmasını taşıyıcının 1; püskürtülmesi
    (injection), 2; sürüklenmesi (diffusion) birleşme ve
    3; toplanması (collection) olarak kısaca anlatabiliriz.
    Aşağıda NPN bir BJT transistörün içinde oluşan akımlar ve
    nasıl oluştuğunu gösteren şekle bakalım.

    Sekli2_jpe.jpg

    E-B bağlantısı VEE bataryası ile doğru bayaslanmıştır.
    C-B bağlantısı ile VCC bataryası ile ters bayaslanmıştır.

    1; Püskürtülme
    NPN transistör içinde Elektronlar, emitör bölgesi içinde
    Çoğunluk taşıyıcılarıdır. E-B bölgesine uygulanan doğru
    bayas ile, (Emitor N tipi madde, buraya VEE bataryasının
    negatig ucu bağlanmış, Beyz P tipi madde ve buraya da
    VEE bataryasının pozitif ucu bağlanmış.) elektronlar VEE
    bataryasının negatif ucundan emitöre girerek beyze doğru
    püskürtülürler. Emitörden beyz bölgesine püskürtülen
    elektronlar, emitör akımını oluşturur ve IE olarak adlandırılır.

    2; Sürüklenme
    Beyz bölgesin giren elektronlar burada azınlık taşıyıcısı
    oldukları için hareketleri bir sürüklenmedir. Beyz bölgesi çok
    ince olduğundan, emitörden beyze doğru püskürtülen
    elektronların ancak bir kısmı buradaki boşluklarla birleşir.
    Her boşluk-elektron birleşmesinden dolayı yeni bir boşluk
    oluşur. Böylece az miktarda elektron beyz bölgesinden VEE
    bataryasının pozitif terminaline gider. Bu elektron akışı IB
    beyz akımını oluşturur.

    Beyz bölgesinin çok dar olduğunu, bu nedenle çok az
    boşluk-elektron birleşimi (recombination) oluştuğunu ve bu
    nedenle de beyz akımının çok küçük değerde olduğunu az
    önce söylemiştim. Bu akım aynı zamanda kollektor kesim
    akımı ( Collector Cut-Off current) ICO olarak da adlandırılır.

    3; Toplanma
    Beyz bölgesinde boşluk-elektron birleşmesi yapamayan
    oldukça çok sayıdaki elektron beyz içinde pozitif biaslı
    kollektöre doğru sürüklenerek çekilirler. N tipi kollektör ters
    biaslı olduğu için buradaki elektronlar VCC bataryasının
    pozitif ucu tarafından çekilmiş ve kollektör içinde bolca boşluk
    oluşmuştur. İşte beyzden gelen elektronlar kollektördeki bu
    boşluklarla birleşir. Her birleşme sunucu açığa bir elektron
    çıkar. Bu elektronlarda kollektör terminaline bağlı VCC
    bataryasının pozitif ucu tarafından çekilerek toplanır. Beyz
    içinde sürüklenen elektronların kollektör tarafından
    çekilebilmesi için VCC geriliminin, VEE geriliminden daha
    büyük olması yada başka bir değişle kollektör deki pozitif
    gerilim değerinin beyz deki pozitif gerilim değerinden daha
    büyük olması gereklidir. (VCC > VEE) Bu şekilde oluşan
    akıma Kollektör Akımı, IC denir.

    Şimdi aklınıza şöyle bir sonuç gelebilir. Eğer VEE gerilimini
    yeteri kadar büyütürsem beyz bölgesindeki elektronların
    hepsi beyze bağlı VEE bataryasının pozitif ucu tarafından
    çekilir ve kollektöre hiç elektron gitmez ve IC akımı oluşmaz.
    Yada başka bir değişle VEE bataryasının değerini değiştirerek
    IC akımını değiştiririm, yani beyz emitöre göre daha pozitif
    olduğunda IC akımı azalır, beyz emitöre göre daha az pozitif
    olduğunda IC akımı artar.
    Bu doğrumudur? Eğer beyz maddesi en az emitör kadar
    kalın olursa doğrudur.
    Gerçekte beyz o kadar incedir ki;
    E-B arasına uygulanan gerilim, yani beyzde ki pozitiflik
    emitör tarafından çok yoğun elektron gelmesini sağlar.
    Fakat beyz çok ince olduğu için üzerinde az miktarda
    elektron-boşluk birleşmesi olur. IB akımını bu elektron-boşluk
    birleşmesi sağladığı için her zaman IB beyz akımı IC kollektör
    akımından az olacaktır. Yani buradaki püf noktası beyzin
    emitör ve kollektöre göre çok ince olmasıdır.

    PNP transistör içindeki olayları çok kısa olarak açıklamak
    yeterli olacaktır. PNP transistör içinde çoğunluk taşıyıcısı
    BOŞLUKLAR dır. Bağlanan bataryaların kutupları ters, akım
    yönleri de ters dir.
    Yani NPN bir transistörde beyz emitöre göre pozitif,
    kollektöre göre negatif, kollektör ise hem base hem de
    emitöre göre pozitif olur. Akım yönleri ise kollektörden içeri
    doğru, beyz den içeri doğru ve emitörden dışarı doğrudur.
    PNP bir transistör de beyz emitöre göre negatif, kollektöre
    göre pozitif, kollektör ise hem base hem de emitöre göre
    daha negatif olur. Akım yönleri ise kollektörden dışarı doğru,
    beyz den dışarı doğru ve emitörden içeri doğrudur.

    Yukarıdaki paragrafta söylediğimi bir formül olarak yazarsak;

    IE=IC+IB ,

    Olup transistör üzerinden geçen akımın denklemidir.

    Hatırlanması gereken yada unutulmaması gereken bir
    noktada, dikkat edilirse E-B bağlantısı bir diyot gibi. Yani
    PN birleşimi. Şimdi bir hatırlama yapalım. Bir PN birleşimden
    akım geçebilmesi için eşik voltajının aşılması gerekir. Bu
    voltaj değeri silisyum için yaklaşık 0,6V, germanyum için
    yaklaşık 0.2 volt dur. Transistörden akım geçirilebilmesi için
    beyz-emitör voltajının aşılması gereklidir.
     

Sayfayı Paylaş