Μια ακόμη
σχεδίαση που χρησιμοποιεί στην έξοδο τρανζίστορ
τεχνολογίας V-MOSFET. Τα τρανζίστορ αυτά μας
προσφέρουν πολλά προτερήματα σε σχέση με τα απλά
διπολικά τρανζίστορ , όπως υψηλές ταχύτητες,
θερμική ευστάθεια, χαμηλές παραμορφώσεις κλπ.
Πέρα από αυτό το κύκλωμα χρησιμοποιεί και άλλες
χρήσιμες λύσεις όπως χρήση fet σαν πηγή ρεύματος
[Q3], το trimmer TR1 με το οποίο ταιριάζουμε τα
χαρακτηριστικά του διαφορικού ενισχυτού εισόδου
Q1-2. Επίσης εκτεταμένη είναι η χρήση πηγών
ρεύματος Wilson Q7-8 και Q10-11 .Με το trimmer TR2 ρυθμίζουμε
το ρεύμα ηρεμίας του σταδίου εξόδου στα 100 ma . Η
χρήση των διόδων D2 έως D5 σε συνδυασμό με τις
αντιστάσεις R17-19 , προστατεύουν τις πύλες των
τρανζίστορ V-FET από το να ξεπεράσει η τάση τα ± 14V
και να δημιουργήσει διάτρηση στο πολύ λεπτό
στρώμα SiO2 , που χρησιμοποιείται σαν μόνωση στην
πύλη . Αυτός ο τρόπος προστασίας είναι κοινός σε
όλους τους ενισχυτές που χρησιμοποιούν αυτά τα
τρανζίστορ. Το συνολικό κέρδος του ενισχυτού
είναι 32.6 , ρυθμιζόμενο από τις R18, R6 και R8, στην
ανάδραση. Επίσης χρησιμοποιείται αρκετά η χρήση
τοπικής ανάδρασης για σταθεροποίηση της
λειτουργίας κάτω από όλες τις συνθήκες . Επειδή
τα τρανζίστορ V-FET έχουν θετικό συντελεστή
θερμοκρασίας , με αποτέλεσμα με την αύξηση της
θερμοκρασίας αυξάνεται και η αντίσταση τους.
Αυτή η αύξηση έχει σαν αποτέλεσμα την μείωση του
ρεύματος που διαρρέει το τρανζίστορ , άρα και η
ισχύς του. Η χρήση διαχωρισμένης τροφοδοσίας στα
στάδια οδήγησης και εξόδου, εξασφαλίζει
σταθερότητα και αποφυγή παραμορφώσεων
ενδοδιαμόρφωσης. Το αρχικό σχέδιο είναι του L. Hood
και δημοσιεύτηκε από το Wireless Word.
One
still designing that it uses in the exit transistor of technology V-mosfet. This
transistors to us offer a lot of virtues concerning the simple bipolar transistors, as
high speeds, thermic stability, low distortion etc. Beyond this circuit use also other
useful solutions as use fet as source of current [ Q3 ], trimmer TR1 with which we match
the characteristics of differential amplifier of entry Q1-2. Also extensive is the use of
sources of current wilson Q7-8 and Q10-11. With trimmer TR2 regulate the bias current of
output stage, in the 100 ma. The use of diodes D2 until D5 in combination with the
resistances R17-19, they protect the gates of transistors v-fet from exceeds the voltage
± 14V and it creates perforation in very thin layer SiO2, that is used as insulation in
the gate. This way of protection is common in all the amplifiers that use these
transistors. The total gain of amplifier is 32.6, regulated from the R18, R6 and R8, in
the negative feedback. Also is used enough the use of local feedback for stabilisation of
operation under all the conditions. Because the transistors v-fet have positive factor of
temperature, with result with the increase of temperature is increased also their
resistance. This increase has as result the reduction of current that via the transistor,
hence also his power. The use of separated supply in the stages of drive and exit, ensures
stability and reject of distortion of intermodulation. The initial drawing of is L. Hood
and was published by the Wireless Word.
